型号:SI4435BDY-T1-E3
品牌:VISHAY
封装:SOP-8
批号:07+
数据列表： SI4435BDY
产品相片： 8-SOIC
产品目录绘图： DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装： 1
类别： 分离式半导体产品
家庭： FET - 单路
系列： TrenchFET?
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ：20 毫欧 @ 9.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) ：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 7A
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 70nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss)： -
功率 - 最大： 1.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOICN
包装： Digi-Reel
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